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Diodes Incorporated 提供紧容差齐纳二极管。离子注入外延晶片工艺允许在 2.4V 至 47V 电压范围内的容差小至 ±2.0%。

广泛的表面贴装 和无铅封装使齐纳二极管具有广泛的功能。

DIODESTAR™ 是用于制造高压整流器的专有工艺平台。DIODESTAR 工艺提供了具有 >400V 电压处理能力、软恢复和超快速开关特性的高效整流器。该工艺将支持为各种终端应用生产一系列高压整流器，包括：

· LCD LED背光电视

· 太阳能逆变器

· 离线照明

· Consumer Adapters Inc. 笔记本电脑和打印机

· 服务器和台式计算机。

DIODESTAR桥式整流器 非常适合功率因数校正 (PFC) 电路。通过正确的 PFC 设计，这些整流器适用于边界 (BCM) 和连续 (CCM) 传导模式操作。

这些高效 DIODESTAR 整流器使设计人员能够满足 80PLUS 能源之星要求和其他电气标准的严格要求。