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2022-07
等离子切割如今也应用于MEMS器件和RFID的小批量生产，来降低芯片过于脆弱的问题，从而增强芯片强度，增加每片晶圆的芯片数量，最终降低设备所有者的整体成本。受益于刀片切割产品，DISCO在切割设备市场处于领先地位，紧随其后的是东京精密公司(Accre
2022-07
存储器和逻辑器件等领域需要额外的减薄步骤，如运用化学机械抛光(CMP)来消除由标准化磨削加工所引起的晶圆微开裂和边缘崩裂。背照式CMOS图像传感器是唯一使用湿法/干法蚀刻处理和化学机械抛光(CMP)的应用，因为背照式CMOS图像传感器需要最多步骤的背
2022-07
某些应用，如存储器和功率器件，它们的微型化朝着更小的尺寸、更高的性能以及更低的成本方向发展，这些应用的薄晶圆厚度小于100μm或甚至小于50μm。现阶段，最常规的半导体应用减薄工艺为磨削，所减薄晶圆的平均起始厚度为750μm到120μm。然而，厚度低
2022-07
受智能手机、智能卡和堆叠封装等消费类应用驱动，近年来对薄晶圆的需求日益增长。据估算，2015年，用于MEMS器件、CMOS图像传感器、应用硅通孔(TSV)技术的存储器和逻辑器件以及功率器件的薄晶圆数量超过了1650万片，这个数量相当于8英寸晶圆投入总
2022-07
随着先进制程的演进，主流手机芯片厂商对先进节点的持续不懈跟进，对整个产业链也将形成更大挑战。先进工艺节点的NRE费用(一次性工程费用)急剧攀升，只有通过扩大销量才能分摊前期成本。有估计认为，研发一颗16纳米的芯片需要投入15亿美元，必须销售3000万
2022-07
智能手机芯片厂商之所以如此积极采用10纳米工艺，有着技术上的迫切需求。一般而言，不同的芯片制程工艺将导致芯片性能变化，制程越小，单位面积上可以集成的芯片越多，芯片性能将提升，同样更小的芯片制程也意味着功耗的降低。由于智能手机对能耗以及尺寸上的苛求，是
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