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时间:2022-07-28 预览:845
存储器和逻辑器件等领域需要额外的减薄步骤,如运用化学机械抛光(CMP)来消除由标准化磨削加工所引起的晶圆微开裂和边缘崩裂。背照式CMOS图像传感器是唯一使用湿法/干法蚀刻处理和化学机械抛光(CMP)的应用,因为背照式CMOS图像传感器需要最多步骤的背面磨削工艺来确保最好的芯片质量。
一、ZXTN25012EFHTA升降压芯片的特性
• 12V,SOT23,NPN中功率晶体管
• BVCEO > 12V BVECX > 6V hFE > 500
• IC(cont) = 6A VCE(sat) < 32mV @ 1A
• RCE(sat) = 23m PD = 1.25W
二、MP2144GJ-Z升降压芯片的特性
MP2144 是一款集成内部功率 MOSFET的单片降压开关变换器。在 2.5V 至 5.5V 的输入电压范围内,可以实现 2A 的连续输出电流,具有出色的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。