根据SEMI全球晶圆厂预测报告的最新情况，19个新的晶圆厂和生产线预计于2016年和2017年开始建设。虽然半导体晶圆厂设备支出2016年起步缓 慢，但预计到今年年底将获得新的动力。相比2015年，2016年预计将有1.5%的增长，2017年预计将有13%的增长。

一、MP2131GG-Z升降压芯片的特性

MP2131 采用超小型 QFN-12（2mmx2mm）封装，最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用, 适用范围广泛，包括便携式仪表、小型手持式和电池供电设备、PDA、DVD 驱动器。

二、MP2322升降压芯片的特性

• 1A、3-22V、5μA IQ 同步降压变换器，采用 1.5x2mm QFN 封装

• 3V 至 22V 宽工作输入电压范围

• 大占空比下频率扩展，以支持大占空比 

• 5µA 低静态电流（IQ）

• 电源正常（PG）指示

• 1A 负载电流

• EN 关闭输出放电功能

• 260mΩ/120mΩ 导通阻抗内部功率 MOSFET

• 过流保护、过压保护和打嗝保护

• 在 4V 至 22V 输入电压下，100µA 至 1A 负载范围内，具有高效率

• 输出电压可调节低至 0.6V

• 支持轻载节电模式（PSM）

• 采用 QFN-8（1.5mmx2mm）封装

• 连续导通模式（CCM）下具有 1.25MHz 固定开关频率