一、ZXTN2010ZTA升降压芯片的特性

特征

* BVCEO > 60V

* IC = 5A 高连续电流

* RSAT = 30mΩ（低等效导通电阻）

* 低饱和电压 VCE(SAT) < 65mV @ IC = 1A

* hFE 指定高达 10A 以保持高电流增益

* 互补 PNP 类型：ZXTP2012Z

* 无铅表面处理； 符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑。 “绿色”装置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

* 支持 PPAP（注 4）

应用

* 应急照明电路

* 电机驱动（包括直流风扇）

* 背光逆变器

* 电源开关

* 栅极驱动 MOSFET 和 IGBT 机械数据

* 案例：SOT89

* 外壳材料：模压塑料。“绿色”模塑料。UL可燃性等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子：表面处理 - 哑光镀锡引线，可根据 MILSTD-202 方法 208 进行焊接

* 重量：0.05 克（近似值）

二、MP2456升降压芯片的特性

0.5A, 50V, 1.2MHz 降压变换器，采用 TSOT23-6 封装