一、ZXTP2012ZTA升降压芯片的特性

特征

* BVCEO > -60V

* IC = -4.3A 高连续电流

* RSAT = 32mΩ（低等效导通电阻）

* 低饱和电压 VCE(SAT) < -65mV @ IC = -1A

* hFE 指定高达 -10A 以保持高电流增益

* 互补 NPN 类型：ZXTN2010Z

* 无铅表面处理； 符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑。 “绿色”装置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

* 支持 PPAP（注 4）

应用

* 应急照明电路

* 电机驱动（包括直流风扇）

* 背光逆变器

* 电源开关

* 栅极驱动 MOSFET 和 IGBT 机械数据

* 案例：SOT89

* 外壳材料：模压塑料。 “绿色”模塑料。UL可燃性等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子：表面处理 - 哑光镀锡引线，可焊接MIL-STD-202，方法 208

* 重量：0.05 克（近似值）

二、MP2451升降压芯片的特性

• 30μA工作静态电流

• 3.3V 至 36V宽工作输入电压范围

• 500mΩ内部功率MOSFET

• 2MHz固定开关频率

• SOT23-6和 TSOT23-6 封装

• 36V, 2MHz, 0.6A 降压转换器