一、ZXMS6004FFQTA升降压芯片的特性

产品概要

* 连续漏源电压：60V

* 导通电阻：500mΩ

* 标称负载电流 (VIN = 5V)：1.3A

* 夹持能量：90mJ

描述

ZXMS6004FFQ 是一种自我保护的低侧 IntelliFET™具有逻辑电平输入的 MOSFET。它集成了超温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。 ZXMS6004FFQ 是通用的理想选择在恶劣环境中由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的开关标准 MOSFET 不够坚固的地方。

应用

* 特别适用于具有高冲击电流的负载，例如灯和电机

* 所有类型的阻性、感性和容性负载切换应用程序

* 适用于 12V 和 24V DC 应用的 μC 兼容电源开关

* 汽车级

* 取代机电继电器和分立电路

* 线性模式能力——限流保护电路旨在在低 VDS 时停用，以最大限度地减少状态功率耗散。因此最大直流工作电流为由封装/板的散热能力决定组合，而不是由保护电路。这不降低产品在低 VDS 下的自我保护能力。 

特性和优点

* 紧凑型高功耗封装

* 低输入电流

* 逻辑电平输入（3.3V 和 5V）

* 具有自动重启功能的短路保护

* 过压保护（有源钳位）

* 带自动重启的热关断

* 过流保护

* 输入保护 (ESD)

* 高连续额定电流

* 完全无铅且完全符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑。 “绿色”装置（注 3）

ZXMS6004FFQ 适用于汽车应用，需要特定的变更控制；这部分是 AEC-Q101符合PPAP 标准并在 IATF 16949 中制造认证的设施。

机械数据

* 案例：SOT23F

* 外壳材料：模制塑料，“绿色”模塑料；UL 易燃性分类等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子：哑光锡处理

* 重量：0.012 克（近似值）

二、BZT52C43Q-7-F升降压芯片的特性

• SURFACE MOUNT ZENER DIODE

• VZ @ IZT  43V

• IZT   5mA

• IZK   1.0mA

• iR(µA) 0.1

•  @VR  32V