一、FMMT491QTA升降压芯片的特性

特征

* BVCEO > 60V

* IC = 1A 连续集电极电流

* ICM = 2A 峰值脉冲电流

* RCE(sat) = 195mΩ（低等效导通电阻）

* 500mW 功耗

* hFE 表征高达 2A 以保持高电流增益

* 互补 PNP 类型：FMMT591

* 完全无铅且完全符合 RoHS（注 1 和 2）

* 不含卤素和锑。 “绿色”装置（注 3）

* 符合 AEC-Q101 高可靠性机械数据标准

* 案例：SOT23

* 外壳材料：模制塑料，“绿色”模塑料 UL 易燃性分类等级 94V-0

* 湿气敏感性：根据 J-STD-020 为 1 级

* 端子：表面处理 – 哑光镀锡引线。可焊接符合 MIL-STD-202，方法 208

* 重量 0.008 克（近似值）

二、DMTH6016LPSQ-13升降压芯片的特性

• 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

• BVDSS  60V

• RDS(ON)    ID TC = +25°C    16mΩ @ VGS = 10V    37.1A

• RDS(ON)    ID TC = +25°C    24mΩ @ VGS = 4.5V   30.3A