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DIODES升降压芯片的主要特征有哪些?

时间:2021-12-25 预览:643

DIODES升降压芯片的主要特征有哪些?(图1)

自2020年底以来,芯片的缺乏在消费类电子产品中广泛蔓延。现在芯片的短缺已经开始蔓延到电子设备产品,包括电源、充电器、适配器等,许多品牌已经停止生产或缺货型号,DIODES升降压芯片也不例外。

DIODES升降压芯片是一款高性能、多模式和间歇模式的原边控制器。升降压芯片中的高精度恒流恒压控制机制结合了完整的保护功能,使其广泛应用于低功率离线电源领域。那么DIODES升降压芯片的主要特征有哪些呢?

1、集成650V MOSFET;

2、可调线损补偿;

3、支持反激和降压拓扑应用;

4、集成线路电压和负载电压的恒流补偿;

5、采用反激原边控制和准谐振降压控制 (SEL = GND);

6、+ 4%恒流、恒压精度;

7、待机功耗小于70mW;

8、具有多模式原边控制模式;

9、工作中没有噪音;

10、优化动态响应;

11、采用DIP-7进行封装;

12、集成和完善的保护功能: 短路保护、过热保护、逐周期限流保护、前沿消隐、引脚悬空保护、VDD欠压保护等功能。