由于近年来DIODES升降压芯片技术的快速发展，升降压芯片的设计方案采用多工作模式+前馈补偿等技术，其转换效率、电压调整率、动态负载响应等指标已接近或超过其它芯片方案，以及它的自适应常数流量功能有利于供电和供电设备的可靠运行。与传统芯片方案相比，它可以去掉光耦合器、431等器件，以原边辅助绕组作为采样电压，具有明显的成本优势，受到广大工程师的青睐。

与同行产品相比，九鼎龙的DIODES升降压芯片的设计方案具有哪些特点呢？

1、高压启动技术：可实现200ms快速启动，30mW待机功耗。

2、自适应开谷技术：降低功率管温度，提高转换效率，可实现12W电源应用。

3、高雪崩容量VDMOS：最低电压690V，抗电网冲击能力强。

4、集成电流采样管：准确采样功率管电流，可实现cS电阻异常短路保护。

5、限频控制技术：提高动态性，满足5Kv级EFT试验。

6、软驱动技术：降低开关速度，提高EMC性能。