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DIODES升降压芯片布局指南

时间:2021-12-10 预览:593

DIODES升降压芯片布局指南(图1)

正确的PCB布局是DIODES升降压芯片稳定高效运行的关键,快速开关电流或电压的轨迹容易与杂散电感和寄生电容相互作用,产生噪声并降低性能。为了让升降压芯片获得更好的效果,请遵循以下准则:

1、pvin到pgnd的旁路电容要尽量靠近pvin和pgnd引脚,尤其是两个小电容。

2、PGND通过电容之间的通路连接到底层。

3、车辆识别号到地的旁路电容应尽量靠近车辆识别号和接地引脚,尤其是小电容。

4、降压转换器输出电容的接地应直接接地,以减少功率回路。

5、VDD脚可以从底层接DC/DC输出电容,接电容后面一点,不接电感。

6、VDD 旁路电容放置在 VDD 弓|脚旁边。

7、V3P3旁路电容放在V3P3弓|脚旁边。

8、VREF 旁路电容器放置在 VREF 引脚旁边。

9、agnd bow|foot通过开尔文连接连接到公共地。