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升降压芯片是电子设备中极其重要的元器件,主要负责运算和储存的功能,那么升降压芯片是怎么制造的呢?
升降压芯片制造的主要步骤包含芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等,其中晶片制作是最为复杂的。
1、升降压芯片的原料晶圆:硅晶圆主要由三个产业形成,即硅初步纯化、制造多晶硅、制造硅晶圆。首先需要将纯硅生产为硅晶棒,再将硅晶棒切片即可获得芯片所需的晶圆。
2、升降压芯片设计的步骤可分为规格确定、设计逻辑、布局电路、模拟、制造光罩。
3、芯片的制造步骤相对复杂,需要将光罩上的电路转移到晶圆上,步骤为薄膜、光阻、显影、蚀刻、去除光阻,在这步骤循环数次。
4、芯片封装及测试:将芯片进行封装与测试,封装步骤为切割、黏贴、焊接、模封。
升降压芯片是将电路中的晶体管、电阻、电感、电容等元器件和布线相连接在一体,制作于介质基片上,在将其封装在管壳内,具有体积小、低功耗、可靠性高、智能等特点。