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PDS5100Q与MP2359DJ-LF-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-27 预览:785

PDS5100Q与MP2359DJ-LF-Z升降压芯片的特性

全球半导体业己迈入成熟期,它的增长率己日趋低迷,2015年达3356亿美元,但是增长率近乎另,而2016年的态势恐难有起色,据SIA及WSTS于6月的最新数据预测2016年半导体为327.0B美元,同比下降2.4%。在这样的态势下,其实产业的脚步没有止步,只是更艰难的踐行。

近期中国半导体业的发展态势,让全球另眼相看,它们几乎都不太相信,为什么中国要这样?以及未来中国半导体业的结局会怎么样?可能暂时很难有确切的答案。

一、PDS5100Q升降压芯片的特性

• 5A高压肖特基势垒整流器POWERDI®

• VR(V) 100     IF (A)  5.0 

• VF MAX (V) @ +25°C    0.79 

• IR MAX (mA) @ +25°C  0.2

二、MP2359DJ-LF-Z升降压芯片的特性

该 MP2359 是单片降压开关模式转换器与内置功率 MOSFET 。它实现了1.2 A 的峰值输出电流在很宽的输入电源范围内具有良好的负载和线路调节。电流模式操作提供了快速的瞬态响应,并简化了回路稳定。故障状态保护包括逐周期限流和热关断。