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DMTH4004LPS与MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-27 预览:558

DMTH4004LPS与MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

现在世界呈多极化、经济全球化、社会信息化深入推进,各国与地区的利益紧密相连。零和壹的博弈、冲突对抗早已不合时宜,只有同舟共济、合作共赢成为时代要求。

目前两岸半导体业合作的大门尚未完全开启,至多仅有一条小缝,期望不要倒退。显然主要的阻力来自岛内的恐惧心理,因此两岸应该本着成熟一步前进一步的心态,继续加强互利互惠的交流及合作,争取在近期内把两岸半导体合作双赢的局面推向新的高潮。

一、DMTH4004LPS升降压芯片的特性

• 40V+175°C N沟道增强型MOSFET

• BVDS  40V

• RDS(ON) Max    ID TC = +25°C 

• 2.5mΩ @ VGS = 10V   100A

• 4mΩ @ VGS = 4.5V    100A

二、MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

MP2615 采用两个控制环路分别控制充电电流和电池充满电压,以实现高精度的恒流充电(CC)和恒压充电(CV)。

恒定关断时间(COT)控制模式下电路工作占空比高达 99%,这样即使在电池电压接近输入电压时,仍然可以保持相对较大的电流对电池进行充电。