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DDZ9701与MP26123DR-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-27 预览:831

DDZ9701与MP26123DR-Z升降压芯片的特性

对待中国半导体业的迅速崛起,台湾地区的反映最为强烈。从另一侧面表示此次中国半导体业走市场经济发展的路,是准确的选择。台湾地区视它的半导体业为”生命线”,一直引以为傲。如近期日月光与矽品的合作,被看作是台湾封装业中的又一个”台积电”诞生。

其实岛内近期热议,要加强”南向”,及减少对于大陆的依赖。此等忧患心情可以理解,然而减少依附中国这个全球最大的半导体市场是否行得通恐遭人生疑。

一、DDZ9701升降压芯片的特性

• 表面贴装低电流齐纳二极管

• VF  0.9V

• Pd  500 Mw

• VZ@IZT 14

• Izt 50uA

• IR 0.05uA

• VR  10.6V

二、MP26123DR-Z升降压芯片的特性

该 MP26123 是单片DC-DC降压开关充电器 2 -或 3 -细胞锂离子电池组。它有一个集成的高边功率 MOSFET 可以输出高达 2A 的充电电流。它还具有峰值电流模式控制快速环路响应和易于补偿。