2010年中国LED芯片企业的迅速扩张给爱思强带来了大量的订单收入，使得当年营收同比大幅增长近1.6倍，市场占有率接近60%。随着竞争对手美国Veeco的快速崛起，2011年市场占有率首次超过爱思强并逐渐扩大，2015年Veeco市场占有率超过60%，爱思强下降到30%左右。营收状况不佳和高昂的研发费用使得爱思强自2012年以来一直处于亏损状态，2016年第一季度报告显示，爱思强营收同比下滑47%，净亏损扩大至1550万欧元，同比亏损额增加63%。随着技术更新加速，爱思强试图通过拓展产品组合和应用领域以应对市场竞争。过去五年来，爱思强在研发费用方面共投入超过3亿欧元。一方面继续提升现有LED MOCVD设备的效率和出片数，另一方面加快研发新兴设备技术。爱思强希望继续丰富产品组合和调整结构，到2020年将LED用MOCVD占比从49%下降到22%，提升化合物半导体、OLED等高附加值设备营收。

一、MP2161GJ-Z升降压芯片的特性

2A, 6V, 1.5MHz, 17uA静态电流，恒定导通时间控制模式（COT）高效率同步降压变换器，带PG并采用 TSOT23-8 封装。

二、MP3423升降压芯片的特性

• 带输入输出断连功能的 9A, 600kHz 高效同步升压变换器，采用 2x2mm QFN 封装

• 效率高达98%

• 43uA 静态电流

• 1.9V 至 5.5V 输入电压范围

• 全负载范围内具有高效率

• 2.5V 至 5.5V 输出电压范围

• 内部软启动和补偿功能

• 内部同步整流器

• 输入输出断连功能

• 600kHz固定频率

• 过流保护、短路保护、过压保护和过温保护

• 9A典型开关电流限值

• 小体积 2x2mm QFN14 封装