由于光耦自身存在的分布电容，对传输速度造成影响，光敏三极管内部存在着分布电容Cbe和Cce。由于光耦的电流传输比较低，其集电极负载电阻不能太小，否则输出电压的摆幅就受到了限制。但是负载电阻又不宜过大，负载电阻RL越大，由于分布电容的存在，光电耦合器的频率特性就越差，传输延时也越长。

用2只光电耦合器T1，T2接成互补推挽式电路，可以提高光耦的开关速度。当脉冲上升为“1”电平时，T1截止，T2导通。相反，当脉冲为“0”电平时，T1导通，T2截止。这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。

一、MP2672GD-000D-Z升降压芯片的特性

MP2672 是一款灵活的高度集成开关电池充电器 IC，适用于 2 节电池串联的锂离子电池，用于各种便携式应用。

二、MPQ8636升降压芯片的特性

• 10A、4.5-18V、采用恒定导通工作模式（CCM）的COT 同步降压变换器，具有锁定过压保护（OVP）

• 4.5V 至 18V 宽输入工作电压范围

• 10A 输出电流

• 低导通阻抗内部功率 MOSFET

• 专有开关损耗降低技术

• 用于超快瞬态响应的自适应恒定导通时间（COT）控制

• 0°C 至 70°C 结温范围内的参考电压精确度为 0.5%

• 200kHz 至 1MHz 可调开关频率

• 非锁定过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温关断保护

• 可选的过压保护（OVP）模式：锁定模式（MPQ8636-10）和非锁定模式（MPQ8636H-10）

• 输出电压可调范围：0.611V 至 13V