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NB679GD-Z与MP2696升降压芯片的特性

时间:2022-07-20 预览:665

NB679GD-Z与MP2696升降压芯片的特性

从产业链的角度来看,过去半导体或者电子行业的兼并整合,导致分工和专业越来越模糊,早期三星是把颗粒生产好卖给上下游的厂商,2007年,当我们讨论后来加入的人是不是应该从系统端着手(因为它的毛利比较高),事实上,当我们还没有着手的时候,竞争对手已经在做了。三星70%-80%出的系统都是SSD。打开三星手机,你会发现,从触控屏到里面的系统,包括SSD是从头到尾自己生产。对我们而言,机会是什么?我们是后发,在芯片工艺的设计,模组的设计与生产,甚至渠道产业链的布局等方面没有优势,但是在某些方面是有优势的。

一、NB679GD-Z升降压芯片的特性

具有 100mA LDO的 5.5-26V宽输入电压、低静态电流、大电流、固定 5V-8A 同步降压变换器。

二、MP2696升降压芯片的特性

• 带 I2C 控制接口的单节电池开关充电器 IC,具有电源路径管理功能、Boost 升压输出和 3.5A 输入电流限值

• 4.0V 至 11V 工作电压范围

• 可耐受输入电压高达 16V

• 500mA 至 3.6A 可配置充电电流

• 3.6V 至 4.45V 可配置充电调节电压,精度为 ±0.5%

• 500mA 至 3.5A 可配置输入电流限值,精度为 ±10%

• Boost 升压变换器,输出电流高达 4.0A