一、ZXTN25012EFHTA升降压芯片的特性

概括

* BVCEO > 12V

* BVECX > 6V

* hFE > 500

* IC（续）= 6A

* VCE(sat) < 32mV @ 1A

* RCE(sat) = 23m

* PD = 1.25W

描述

先进的工艺能力和包装设计已被用于最大限度地提高这个小外形的功率处理和性能晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想的适用于空间非常宝贵的应用。

特征

• 高功耗 SOT23 封装

• 高峰值电流

• 非常高的增益

• 低饱和电压

• 6V 反向阻断电压

应用

• MOSFET 栅极驱动器

• 电源开关

• 电机控制

• 直流风扇

• DC-DC 转换器

二、MP2319升降压芯片的特性

• 3A、18V、650kHz 高效率同步降压变换器

• 8 引脚 TSOT23 封装