常见的半导体材料有硅(si)、锗(ge),化合物半导体，如砷化镓(gaas)等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼(b)、磷(p)、锢(in)和锑(sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
有以下共同特点:
1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2.半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。
3.在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

半导体指的是导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、碳化硅、氮化镓等，一般说半导体都是说半导体材料，三极管、二极管是半导体器件。

不管哪个，种类都挺多的，抽常见的说一下。

半导体材料，最基本的有三种类型：本征半导体、P型半导体、N型半导体。

根据《低压配电设计规范》GB50054-2011第3.1.7规定，半导体开关电器严禁作为隔离电器。该条为强制性条文，需要严格执行。制订该条的出发点是为了保证人身安全。顾名思义，隔离电器应可靠地将回路与电源隔离，以保障检修、维护人员的安全。

根据IEC 60947-1（GB 14048.1）的规定，隔离电器必需具有一定的间距，并且其动触头有可靠的位置指示。从隔离电器的要求可以看出，隔离电器需具有明显的符合标准要求的断点，有了此明显断点，维护人员才有安全保证。传统的机械式隔离电器满足标准的要求，具有较高的可靠性，能胜任此重任。

而半导体开关电器则是利用半导体导通或阻断电流而实现开关功能！常用可控性制作成半导体开关电器，其不能满足上述标准中关于隔离电器的附加要求，既没有明显的断点，也不能可靠指示动触头的位置。并且半导体开关电器较机械式的更容易被击穿。

导电能力介于导体跟绝掩体之间的物质叫做半导体材料。常见半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要，所以有着不同的特性。下面小编简单介绍下常见的半导体材料有什么特点优势吧。

常见的半导体材料特点

常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。

有以下共同特点：

1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间

2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。

3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

常见半导体材料有什么优势

半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。1906年制成了碳化硅检波器。

1947年发明晶体管以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。

不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。

此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。

什么是“边缘计算”？想要弄清楚这一概念的含义，我们还得从“云计算”谈起。

云计算（cloud computing）指的是通过网络“云”将巨大的数据计算处理程序分解成无数个小程序，然后，通过多部服务器组成的系统进行处理和分析这些小程序得到结果并返回给用户。用户通过网络获得应用所需的资源（硬件、平台、软件）。而提供资源的网络被称为“云”。

举个简单的例子，这就好似我们现在的用电方式一样。每个家庭或企业一般情况下并不自己生产“电”，而是大型发电站进行集中发电，然后通过星罗棋布的电网，将“电”输送到每家每户。人们只需插上插座，按时交纳电费，便可以用上电。“云计算”就类似于这样一种存在。那些提供云计算服务的公司，就好比“大型发电站”。1961 年，网络互联领域专家约翰·麦卡锡就曾预言：“未来电脑运算有可能成为一项公共事业，就像电话系统已成为一项公共事业一样。”然而，正如文章开头所说，庞大的数据量将极易造成网络拥堵，并且随着 5G 时代的到来，我们对数据的实时性提出了更高的要求。因此我们需要将部分数据在本地进行处理。“边缘计算”便是这样一种模式。

所谓边缘计算就是在网络边缘结点来处理、分析数据，而不是在中央服务器里整理后实施处理。在这里“边缘节点”目前主要包括，通信基站、服务器、网关设备以及终端设备。与云计算相比边缘计算在网络拓扑中的位置更低，即更加靠近“用户”——数据产生的地方。作为对云计算方式的补充，边缘计算弥补了云计算的诸多缺陷。

半导体一般指硅晶体,它的导电性介于导体和绝缘体之间.
半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料.按内部电子结构区分,半导体与绝缘体相似,它们所含的价电子数恰好能填满价带,并由禁带和上面的导带隔开.半导体与绝缘体的区别是禁带较窄,在2～3电子伏以下.
典型的半导体是以共价键结合为主的,比如晶体硅和锗.半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电.它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制.掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子,则产生电子导电；如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子,则产生空穴导电.
半导体的应用十分广泛,主要是制成有特殊功能的元器件,如晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件等.

用温度探头来控制温度，比如说低于10度关闭半导体制冷片，高于20度开启半导体制冷片。这要另外加装电源。

首先你要知道三极管是一种什么性质的元件，电流控制电流型的器件，三种工作状态，放大，饱和和截止，以放大和截止为例，放大状态下可以实现小电流控制大电流，在通俗讲即弱电控强电，饱和状态则可以组成三极管开关电路

除了有 可归纳为三种 : 共发射极电路、共基极 电路以及共集电极电路。 可归纳为三种 : 共发射极电路、共基极 电路以及共集电极电路。 可归纳为三种 : 共发射极电路、共基极 电路以及共集电极电路。 共发射极电路、共基极电路以及共集电极电路三种放大电路形式外，还可用于振荡电路和开关电路。有关振荡电路可参看图，开关电路的典型应用是开关电源，开关电源型手机充电器电路图，图中三极管VT就是开关管。

220v交流电由插头XP引入，经二极管VD1`VD4全波整流和电容C1滤波后，得到约300V直流电压，分两路供电。一路经变压器T的一次侧绕组加到开关管VT集电极，另一路经启动电阻R3给VT基极提供正偏置，触发VT迅速导通，于是使T一次侧绕组产生1端正、2端负的感应电压，经变压器T耦合又使正反馈绕组产生4端正、3端负的感应电压，并叠加到VT基极，促使VT进入饱和导通状态。

三极管VT饱和导通时，集电极电流不再变化，一次侧绕组感应电压消失，VT便退出饱和状态，使集电极电流减小，此时一次侧绕组则产生2端正、1端负的反向感应电压，经变压器T耦合至反馈绕组形成3端正、4端负的感应电压，迫使三极管VT在反向偏置下迅速截止。之后，电流重复上述过程，形成自激振荡，使三极管VT工作于饱和与截止的开关状态。

半导体三极管常见故障

半导体三极管是由两个PN结构成，它的常见故障与二极管一样，有短路故障、开路故障和性能不良。

将「质量」定义为符合要求，我们为我们的产品符合或超过客户要求而感到自豪。我们的产品设计皆具有可靠性，
其质量可维持超过所使用之应用的可用寿命。